Терлецький Андрій Іванович

кандидат фізико-математичних наук,

доцент кафедри комп’ютерної інженерії та електроніки Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника

 

Персональна інформаціяОсновні публікаціїДіяльністьКонтакти

Народився 25 лютого 1967 р в м. Надвірна, Івано-Франківської області.

 

Навчався:

1974-1984 рр. – Надвірнянська СШ№1;

1984-1989 рр. – фізико-математичний факультет Івано-Франківського державного педагогічного інституту імені Василя Стефаника. Вчитель фізики та математики;

1989-1992 рр. – аспірантура при інституті прикладної фізики Академії наук Республіки Молдова, м. Кишинів. 1995 р. захистив дисертацію (Ph.D.) за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників та діелектриків. Тема дисертації “Влияние радиационных воздействий на электрические и оптические свойства полупроводников типа AIIIBV“.

Працював:

1992-2005 рр. – Інститут прикладної фізики Академії наук Республіки Молдова, м. Кишинів, лабораторія напівпровідникових сполук.

З 2005р. – Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, кафедра комп’ютерної інженерії та електроніки.

Нострифікував (підтвердив) диплом кандидата наук 2012 р.

Доцент кафедри комп’ютерної інженерії та електроніки з 2013 р.

Статті (в журналах Scopus, Web of Science)

 

  1. Tiginyanu I. M. Improvement of InP crystalline perfection by He+-implantation and subsequent annealing // I. M. Tiginyanu, A. I. Terletsky, V. V. Ursaki // Solid State Commun. – 1995. – Vol. 96, No.10. – pp.789-792.
  2. Favaro M.L. Photoluminescence study of growth-related and processing-induced defects in indium phosphide / M. L. Favaro, I. M. Tiginyanu, A. I. Terletsky, H. L. Hartnagel, M. Zappia, D. Ajo. // Phys. Stat. Sol. (a). – 1996. – Vol. 156, No.2. – pp. 523-532.
  3. UrsakiV. V. Zn+/P+ and Zn+/As+ co-implantation in InP single crystals / V. V. Ursaki, I. M. Tiginyanu, V. M. Ichizli, A. I. Terletsky, N. B. Pyshnaya, S. I. Radautsan // Proceeding 19th Edition of Annual Semiconductor Conf. October 12-17, Sinaia, Romania. – 1996. – pp. 401-404.
  4. UrsakiV. V. Raman and Hall-effect characterization of Zn+/P+ co-implanted GaAs subjected to rapid thermal annealing / V. V. Ursaki; A. I. Terletsky; I. M. Tiginyanu // Proceeding 21th Edition of Annual Semiconductor Conf. October 6-10, Sinaia, Romania. – 1998. – pp. 97-100.
  5. Novosiadlyii S. Modified Pearson Model for High-Energy Multi-Charge Implantation and Impurity Activation for Sensor Microsystems / S. Novosiadlyii, V. Mandzyuk, V. Hryha, A. Terletsky, T. Benko, V. Lukovkin // Electronics and nanotechnology. Proceedings of 40th International Conference. ELNANO’2020. – Kyiv, Ukraine, Мay 2020. – рр. 315‑318.
  6. Dunets R. Methods of computer tools development for measuring and analysis of electrical properties of semiconductor films / R. Dunets, B. Dzundza, M. Deichakivskyi, V. Mandzyuk, A. Terletsky, O. Poplavskyi // Eastern-European Journal of Enterprise Technologies. – 2020. – V. 1/9, N103. – рр. 32-38.
  7. Hryha, V., Dzundza, B., Melnychuk, S., Manuliak, I., Terletsky, A., Deichakivskyi, M. (2023). Design of various operating devices for sorting binary data. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 4 (4 (124)), 6–18.
  8.  Hryha V., Dzundza B., Melnychuk S., Manuliak I., Terletsky A., Deichakivskyi, M. Design of various operating devices for sorting binary data. EasternEuropean Journal of Enterprise Technologies. 2023. V. 4, No 124. P. 6–18. doi: https://doi.org/10.15587/17294061.2023.285997

 

Статті (в журналах категорії А)

 

  1. Фреїк Д. М. Методика вимірювання термоелектричних параметрів напівпровідникових матеріалів у широкому інтервалі температур / Д. М. Фреїк, Н. І. Дикун, Р. І. Запухляк, М. О. Галущак, А. І. Терлецький // Фізика і хімія твердого тіла. – 2010. – 11(2). – с. 510-514
  2. Новосядлий С. П. Сучасні твердофазні технологічні аспекти в субмікронній технології ВІС / С. П. Новосядлий, А. І. Терлецький, О. Б. Фрик // Східно-Європейський журнал новітніх технологій. – 2010. – 3/7 (45). – с. 52-60.
  3. Фреїк Д. М. Комірка для вимірювання теплопровідності твердих тіл / Д. М. Фреїк, Р. І. Запухляк, А. І. Терлецький, Н. І. Дикун, А. І. Ткачук // Фізика і хімія твердого тіла. – 2011. – 12(1). – с. 253-256.
  4. Новосядлий С. П. Прецизійні технології лазерної обробки тонкоплівкових елементів інтегральних схем / С. П. Новосядлий, А. І. Терлецький, О. Б. Фрик // Східно-Європейський журнал новітніх технологій. – 2012. – 5/5 (59). – с.35-45.
  5. НовосядлийС. П. Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами / С. П. Новосядлий, А. І. Терлецький, О. Б. Фрик // Фізика і хімія твердого тіла. – 2014.– №4, Т.15. – с. 420-424.

 

Статті (в журналах категорії Б)

 

  1. Фреїк Д. М. Стаціонарний метод визначення термоелектричних параметрів напівпровідникових матеріалів / Д. М. Фреїк, М. О. Галущак, А. І. Терлецький, Р. І. Запухляк, Н. І. Дикун, А. І. Ткачук // Методи та прилади контролю якості. – 2010. – №25. – с. 92-96.
  2. Фреїк Д. М. Комірка для вимірювання термоелектричних параметрів напівпровідникових матеріалів / Д. М. Фреїк, М. О. Галущак, А. І.Терлецький, Р. І. Запухляк, Н. І. Дикун, А. І Ткачук // Методи та прилади контролю якості. – 2011. – №26. – с. 94-96.
  3. Новосядлий С.П. Фізико-технічні аспекти моделювання низькотемпературної епітаксії шаруватих структур кремнію та гелію арсеніду / С. П. Новосядлий, А. І. Терлецький, О. Б. Фрик // Прикарпатський вісник НТШ. – 2018. – №1 (45). – с. 63-79.

 

Статті в закордонних журналах

 

  1. Радауцан С. И. Образование глубоких уровней в р-InP при электронном облучении / С. И. Радауцан, В. В. Урсаки, А. И. Терлецкий // Известия АН РМ, сер. Физика и техника. – 1992. – 1(7), – с. 85-87.
  2. Радауцан С. И. Влияние α-облучения на спектры фотолюминесценции кристаллов n-InP / С. И. Радауцан, А. И. Терлецкий, И.М. Тигиняну, В. В. Урсаки // Известия АН РМ, сер. Физика и техника. – 1992. – 3(9), – с. 30-31.
  3. Radautsan S. I. Zn+/As+ an Zn+/Ar+ co-implantation in GaAs single crystals / S. I. Radautsan, A. I. Terletsky, I.M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, C. Cobianu, D. Dascalu, R. Marinescu // Proceedings 16th Edition of Annual Semiconductor Conf., October 12-17, Sinaia, Romania. – 1993. – pp. 465-468.
  4. Радауцан С. И. Влияние инфракрасной подсветки на спектры фотопроводимости кристаллов GaAs, облученных α-частицами / С. И. Радауцан, А. И. Терлецкий, И.М. Тигиняну, В. В. Урсаки // Известия АН РМ, сер. Физика и техника. – 1994. – 1(13). – с. 3-4.
  5. Калужа Ю.И. Фотолюминесценция фосфида индия, имлантированного ионами He+ / Ю. И. Калужа, А. И. Терлецкий, В. В. Урсаки // Известия АН РМ, сер. Физика и техника. – 1994. – 3(15). – с. 17-21.
  6. Radautsan S. I. Raman characterisation of Zn+ implanted GaAs single crystals coimplanted with As+ and Ar+ ions / S. I. Radautsan, A. I. Terletsky, I.M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, Ichizli V. M., C. Cobianu, D. Dascalu // Proceedings 17th Edition of Annual Semiconductor Conf. October 11-16, Sinaia, Romania. – 1994. – pp. 247-250.
  7. ГеоргобианиА. Н. Спектры комбинационного рассеяния света в монокристаллах InP разупорядоченных ионным внедрением He+ / А. Н. Георгобиани, З. Ф. Илюхина, А. В. Спицын, А. И. Терлецкий, В. В. Урсаки // Краткие сообщения по физике. – 1994. – Т.3. – с. 33-35.
  8. Ursaki V. V. Raman scattering study of Zn+/P+ co-implanted GaAs single crystals / V. V. Ursaki, V.M. Ichizli, I. M. Tiginyanu, A. I. Terletskii, Yu. I. Caluja // Proceeding 18th Edition of Annual Semiconductor Conf. October 8-12, Sinaia, Romania, – 1995. – pp. 99-102.
  9. UrsakiV. V. Influence of P+ -coimplantation on electrical parameters of Zn+-implanted GaAs single crystals / V. V. Ursaki, V. M. Ichizli, A. I. Terletsky, I. M. Tiginyanu // Известия АН РМ, сер. Физика и техника. – 1996. – 3(21). – с. 10-12.

 

Монографії

 

  1. Новосядлий С. П. Діагностика субмікронних структур ВІС : Монографія / С. П. Новосядлий, А. І. Терлецький // Івано-Франківськ : Сімик. – 2016. – 480 с.

 

Патенти

 

  1. Патент на корисну модель № 57012, Україна. Спосіб вимірювання термоелектричних параметрів / Фреїк Д. М., Запухляк Р. І., Терлецький А. І., Дикун Н. І. – дата подання 07.06.11; опубл. 10.02.2011, Бюл. № 3.
  2. Патент на корисну модель № 65225, Україна. Комірка для вимірювання термоелектричних параметрів / Терлецький А. І., Борик В. В., Дикун Н. І., Запухляк Р. І., Фреїк Д. М. – дата подання 30.05.11; опубл. 25.11.2011, Бюл. № 22.
  3. Патент на корисну модель № 67492, Україна. Спосіб комутації електричних сигналів при вимірюванні термоелектричних параметрів / Галущак М. О., Ткачук А. І., Борик В. В., Терлецький А. І., Фреїк Д. М. – дата подання 15.07.11; опубл. 27.02.2012, Бюл. № 4.
  4. Патент на корисну модель № 72229, Україна. Спосіб стабілізації електричної потужності нагрівника комірки для вимірювання термоелектричних параметрів Никируй Л. І., Терлецький А. І., Фреїк Д. М., Лисюк Ю. В., Горічок І. В. – дата подання 08.02.12; опубл. 10.08.2012, Бюл. № 15.

 

Навчально-методичні праці

 

  1. Терлецький А. І. Методичні вказівки до виконання лабораторних робіт з курсу “Архітектура комп’ютерів” (1-й семестр) для студентів напряму “Комп’ютерна інженерія” / А.І. Терлецький // Івано-Франківськ.: П.П. Голіней. – 2012. – 112 с.
  2. Терлецький А. І. Методичні вказівки до виконання лабораторних робіт з курсу “Архітектура комп’ютерів” (2-й семестр) для студентів напряму “Комп’ютерна інженерія” / А. І. Терлецький, О. Б. Фрик // Івано-Франківськ. : П.П. Голіней. – 2012. – 96 с.
  3. Терлецький А. І. Методичні вказівки до виконання лабораторних робіт з курсу “Комп’ютерне моделювання і оптимізація” для студентів напряму “Комп’ютерна інженерія” / А. І. Терлецький, О. Б. Фрик // Івано-Франківськ. : П.П. Голіней. – 2012. – 78 с.
  4. Терлецький А. І. Способи подання чисел у комп’ютері : навчальний посібник / А. І.Терлецький, О. Б. Фрик // Івано-Франківськ : ПП “Голіней”. – 2018.  – 111 с.
  5. Терлецький А. І. Методичні вказівки до виконання курсової роботи з дисципліни “Комп’ютерна логіка” для студентів спеціальності 123 “Комп’ютерна інженерія” / А. І. Терлецький // Івано-Франківськ : ПНУ, – 2020. – 22с.
  6. Терлецький А. І. Програма та методичні рекомендації до проходження виробничої практики для студентів спеціальності 123 “Комп’ютерна інженерія” / А. І. Терлецький, В. М. Грига, В. І. Мандзюк // Івано-Франківськ : ПНУ, – 2020. – 24с.
  7. Терлецький А. І. Побудова та мінімізація булевих функцій : навчальний посібник / Терлецький А. І. // Івано-Франківськ : ПП “Голіней”. – 2020. – 180 с.
  8. Новосядлий С.П., Мандзюк В.І., Терлецький А.І. Методичні вказівки до виконання курсових робіт з дисципліни “Техніка і електроніка НВЧ” для студентів спеціальності 171 “Електроніка” (електронне видання) – Івано-Франківськ, Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, 2021. – 60 с.
  9. В. Мандзюк, А. Терлецький. Програма та методичні рекомендації до проходження виробничої та переддипломної практик для студентів спеціальності 171 “Електроніка” (електронне видання). – Івано-Франківськ: ПНУ, 2021. – 20 с.
  10. Терлецький А. І. Методичні вказівки до виконання курсової роботи з дисципліни ’Комп’ютерна логіка’ для студентів спеціальності 123 ’Комп’ютерна інженерія’ (електронне видання). – Івано-Франківськ: ПНУ, 2021. – 22 с.
  11. Терлецький А. І., Грига В. М., Мандзюк В. І. Програма та методичні рекомендації до проходження виробничої практики відповідно до навчального плану спеціальності 123 ’Комп’ютерна інженерія’ (електронне видання). ­ Івано-Франківськ, ПНУ, 2021, ­ 24 с.

3 2012 р. працюю на посаді доцента кафедри комп`ютерної інженерії та електроніки. Здійснюю організаційне та науково-методичне забезпечення навчально-виховного процесу. Керівник виробничої практики з напряму “Комп`ютерна інженерія”.

E-mail: andrii.terletskyi@pnu.edu.ua

Тел: (0342) 59-60-07

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника