![]() |
кандидат фізико-математичних наук, Проректор з науково-педагогічної роботи |
Народився 21 березня 1974 року в м. Івано-Франківськ. У 1991 році вступив на перший курс фізико-математичного факультету Івано-Франківського державного педагогічного інституту імені Василя Стефаника, який в 1996 році закінчив із відзнакою за спеціальністю «Фізика і математика» (тоді вже Прикарпатський університет імені Василя Стефаника). За успішне навчання та наукову роботу, яку він розпочав ще з другого курсу, був нагороджений грантом Джорджа Сороса та стипендією Президента України.
Під час навчання на 4 і 5 курсах та після закінчення навчання в університеті працював вчителем фізики, математики та астрономії у Спаській середній школі Рожнятівського району Івано-Франківської області.
У 1996 році за результатами вступних випробувань був зарахований на перший курс аспірантури за спеціальністю «Фізика твердого тіла» при Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника. У 1999 році успішно захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук. У 1999-2000 рр. працював у Прикарпатському університеті на посаді Вченого секретаря Фізико-хімічного інституту. З 2000 року прийнятий на посаду асистента кафедри радіофізики і електроніки. В 2002 році отримав звання доцента цієї ж кафедри.
У 2003 році за результатами відбору Міжнародної Німецької служби академічних обмінів виграв грант та пройшов стажування у Кемніцькому технічному університеті (Німеччина).
З вересня 2017 року – проректор з науково-педагогічної роботи Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника.
За свою наукову і викладацьку діяльність двічі відзначався стипендією Кабінету Міністрів України для молодих вчених.
Наукові інтереси Запухляка Руслана Ігоровича пов’язані із технологією вирощування та дослідженням термоелектричних властивостей монокристалів і плівок PbTe та сплавів на їх основі, створення на їх базі пристроїв електронної та інформаційної техніки.
Автор понад 50 наукових праць, 6 навчальних посібників з курсів загальної фізики, електроніки та інформаційних технологій, співавтор 1-ї монографії, понад десяток авторських свідоцтв на винаходи та патенти. Під його керівництвом постійно захищаються кваліфікаційні і дипломні роботи студентів, кандидатські дисертації, ведуться дисертаційні дослідження аспірантів.
За багаторічну працю нагороджений Подякою Міністерства освіти і науки України (2017 рік).
Одружений. Має доньку і сина.
- Horichok, I.V., Prokopiv, V.V., Zapukhlyak, R.I., Matkivskyj, O.M., Semko, T.O., Savelikhina, I.O., Parashchuk, T.O. Effects of oxygen interaction with PbTe surface and their influence on thermoelectric material properties// Journal of Nano- and Electronic Physics.Vol. 10 No 5, 05006(5pp) (2018).
- I. Nykyruy, O.M. Voznyak, Y.S. Yavorskiy, V.A. Shenderovskiy, R.O. Dzumedzey, O.B. Kostyuk, R.I. Zapukhlyak. Influence of the behavior of charge carriers on the thermoelectric properties of PbTe:Bi thin films//Journal of Thermoelectricity No3, 2018. -pp. 15-29
- I. Zapukhlyak, T.O. Parashchuk,V.M. Chobanyuk, N.D. Freik, P.M. Fochuk. Thermodynamics Properties of Sphalerite Crystal of Zinc Telluride: Quantum-Chemical Calculation (Review)// PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLID STATE V. 14, № 3 (2013) P. 463-475.
- M. Freik, N.I. Dykun, R.I. Zapukhlyak, M.O. Galuschak, A.I. Terletsky. Measurement of Thermoelectric Parameters of Semiconductor Materials//PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLID STATE V. 11, № 2 (2010) P. 510-514
- Novosyadly S.P., Zapukhlyak R.I. The Non-Equilibrium Pulse Volt-Farad Characteristics of a MOS Structure for Reliability Prediction of Large-Scale Integrated Circuit// METALLOPHYSICS AND ADVANCED TECHNOLOGIES. –V. 26. –№ 1 (2004). –pp.35-50.
- Novosyadly S.P., Melnyk P.I., Zapukhlyak R.I.. Physical-Technological Features of Manufacturing of Structures of Silicon Solar Cells Based on the p – n-Junction// METALLOPHYSICS AND ADVANCED TECHNOLOGIES. –V. 25. –№3 (2003). –pp. 333-352.
- Freik, D.M., Galushchak, M.O., Ivanishin, I.M., Shperun, V.M., Zapukhlyak, R.I., Pyts, M.V. Thermoelectric properties of solid solutions based on tin telluride. In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V. 3, № 3 (2000), 287-290.
- M. Freik, R.I. Zapukhlyak, M.A. Lopjanka, G.D. Mateik, R.Ya. Mikhajlonka. Thermoelectric property features of PbTe monocrystalline and polycrystalline films / // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — V. 2, № 3. — P. 62-65.
- Freik, D.M., Prokopiv, V.V., Zapukhlyak, R.I., Mateik, G.D., Mel’nik, V.M. Intrinsic Point Defects in Vapor-grown SnTe Thin Films Inorganic Materials, Volume 34, Issue 1, January 1998, Pages 23-25.
Тел: +380342 59-61-83
Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника