Новосядлий Степан Петрович

В 1990 році захистив кандидатську дисертацію  на тему “Технологія нових матеріалів і методів формування тонкоплівкових структур активних RC-фільтрів” за спеціальностями 05.27.01 – “Твердотільна електроніка” та 05.27.06 – “Технологія, обладнання і організація виробництва електронної техніки.” В 1989 році після організації спеціального конструкторського бюро “Орізон” був призначений його головним інженером. Під його керівництвом і за його участю було проведено понад 120 науково-дослідних і дослідно-конструкторських робіт, результати яких були впроваджені у серійне виробництво. Його активна наукова робота дозволила в 1989 році вивести вже виробниче об’єднання “Родoн” в п’ятірку кращих підприємств електронної промисловості колишнього СРСР. За високофахову роботу в 1988 році Новосядлому С.П. було присвоєно звання “Заслужений працівник електронної промисловості СРСР ”.

За результатами роботи кандидатської дисертації було розроблено понад 40 типів активних RC-фільтрів с. 298, 214 і їх технологію виготовлення. Без відриву від виробництва ним же була підготовлена докторська дисертація на тему: “Фізико-технологічні аспекти субмікронної технології ВІС”, яку він захистив в 2003 році. За матеріалами дисертацій опубліковано більше 180 робіт (монографії, статті, тези, патенти, підручники, посібники). За результатами публікацій 2000-2006 років Новосядлий С.П увійшов у список 100 кращих спеціальності світу у галузі мікроелектроніки і комп’ютерної техніки за 2007 рік і відповідно нагороджений срібною медаллю та відповідним сертифікатами Кембриджського наукового центру (Англія).

Степан Петрович Новосядлий народився 1 січня 1943 року в с. Волків Перемишлянського району Львівської області. Після закінчення Перемишлянської середньої школи із золотою медаллю в 1959 році поступив на фізичний факультет Львівського державного університету імені Івана Франка. З четвертого курсу цього факультету був переведений згідно Постанови Ради Міністрів колишнього СРСР на четвертий курс факультету автоматики і напівпровідникової електроніки Львівського політехнічного інституту, після закінчення якого з відзнакою в 1964 році був направлений на роботу на Київський завод напівпровідникових приладів (пізніше – науково-виробниче об’єднання “Кристал”). Там свою виробничу діяльність починав інженер-технологом, інженер-конструктором, начальником бюро і з посади заступника головного технолога Інституту мікроприладів був переведений в 1972 році головним технологом на завод “Позитрон” (м. Івано-Франківськ), який входив у структуру науково-виробничого об’єднання “Кристал”. До основних його наукових досягнень на посадах в НВО “Кристал” слід віднести : розробку високочастотного планарного германієвого транзистора 1Т311, операційного підсилювача К140УД1, логічних схем cерії К172, К178, які показали його рівень як високoкваліфікованого спеціаліста в галузі електронної техніки. Працюючи головним технологом вже на концерні “Родон” в м. Івано-Франківську, без відриву від виробництва закінчив аспірантуру в Львівському політехнічному інституті за спеціальністю “Теоретична радіотехніка”.

Novosiadlyi, M. Kotyk, B. Dzundza, V. Gryga, S. Novosiadlyi, V. Mandzyuk Formation of carbon films as the subgate dielectric of GaAs microcircuits on si-substrates // Eastern European Journal of Enterprise Technologies. – 2017. –V 5, N 5 (89). – P. 26-34. [Scopus].

Novosyadlyj S., Dzundza B., Gryga V., Kotyk M., Mandzyuk V. Research Into Constructive And Technological Features Of Epitaxial Galliumarsenide Structures Formation On Silicon Substrates // Eastern European Journal of Enterprise Technologies. – 2017. – V 3, N 5 (87). – P. 54-61. [Scopus].

Novosyadlyj S., Kotyk M., Dzundza B., Gryga V., Mandzyuk, V.  Development of technology of superconducting multilevel wiring in speed gaas structures of LSI/VLSI // Eastern European Journal of Enterprise Technologies. – 2018. – V 1, N 5 (91). – P. 53-62. [Scopus].

S.Novosiadlyi,V. Gryga, B. Dzundza, Sv. Novosiadlyi, V. Mandzyuk, H. Klym, O. Poplavskyi Features of formation of microwave GaAs structures on homo and hetero-transitions for the submicron LSIC structures // Eastern European Journal of Enterprise Technologies. – 2019. – V 1, N 5 (91). – P. 53-62. [Scopus].

Сфера наукових інтересів: мікроелектроніка і наноелектроніка, комп’ютерна схемотехніка і САПР, телекомунікації. Основні напрямки наукових досліджень: САПР твердотільної електроніки, дослідження матеріалів і процесів субмікронної технології ВІС на кремнії і арсеніді галію, програмування мікроконтролерів і мікропроцесорів при проектуванні функціонально закінчених виробів.

Після захисту докторської дисертації запрошений на посаду професора кафедри радіофізики і електроніки Прикарпатського національного університету ім..В.Стефаника. З 20005 року по 2012 рік-завідувач кафедри радіофізики і електроніки. Під його керівництвом акредитовані і ліцензовані спеціальності “Радіофізика і електроніка” та “комп‘ютерна інженерія”. Відповідно і створена матеріальна бази, що представляє нові сучасні лабораторії, в яких виконуються лабораторні роботи за навчальними спецкурсами.

З вересня 2012 р. професор кафедри комп’ютерної інженерії і електроніки. Член наукового товариства ім.. Т.Г.Шевченка.

Тісний зв’язок з кафедрами університету «Львівська Політехніка» підтримується на рівні проведення конференцій, стажування викладачів, участі у форумах та реалізації сучасних інвестиційних проектів.